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三星介绍其3nm MBCFET堆叠式晶体管优势 有望2022年实现

新闻 编辑:鲲鹏 日期:2021-03-13 03:19:16 262人浏览

三星半导体将凭借即将推出的3纳米制造工艺,成为首家开始使用栅极全向场效应晶体管(GAFET)类结构的半导体制造商。这个节点还没有完全准备好进入黄金时段,但在IEEE国际固态电路会议(ISSCC)上,来自三星晶圆厂的工程师分享了即将推出的3纳米GAE MBCFET(多桥通道FET)制造技术的一些细节。

从形式上看,GAAFET有两种类型:典型的GAAFET称为纳米线,结构上看其特点是"薄"鳍,以及MBCFET称为纳米片,对应使用 "厚"鳍。在这两种情况下,栅极材料都围绕着沟道区域的四面。纳米线和纳米片的实际实现在很大程度上取决于设计,因此一般来说,许多行业观察家用一个术语来描述两者,即GAAFET。但之前它们被称为环绕栅极晶体管(SGT)。同时,MBCFET是三星的商标。

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第一款GAAFET在1988年进行了演示,因此该技术的主要优势早已经为人所知。这种晶体管的结构本身就允许设计者通过调整晶体管沟道的宽度(也称为有效宽度,或Weff)来精确地调整它们以实现高性能或低功耗;较宽的片可以在较高的功率下实现更高的性能,而较薄/较窄的片则可以降低功耗和性能。为了在FinFET上做类似的事情,工程师们必须使用额外的鳍片来提高性能。但在这种情况下,晶体管通道的 "宽度 "只能增加一倍或三倍,这其实并不精确,有时效率也很低。此外,调整GAAFET还可以提高晶体管密度,因为不同的晶体管可以用于不同的用途。

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